51-51 芯片复位与读取写回操作流程总览
视频与实验环境介绍
视频作者首次直播并说明本次演示目标和使用的硬件与软件环境
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作者说明这是第一次使用直播,感谢朋友们提出需求,演示目标为对 51-51(5151)芯片进行复位与数据修改操作。
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实验中使用一块带有 51-51 芯片的电池保护板,部分保险丝被短接代替损坏的熔断器用于演示。
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软件环境为 Linux 终端配合 r2j240 flasher 工具读取芯片,后续在 Windows 上使用 hxb 十六进制编辑器进行修改。
简述演示文件与备份策略,包括读取前后文件类型与用途
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作者在开始前已在 Linux 下预先读取并保存数据文件,生成的文件包括 DF1、DF2、DF3、Full1、Full2 与固件(FW)备份用于回滚与参考。
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演示中强调先完整读取所有分区数据作为备份,不希望丢失原始文件,软件会自动生成备份但作者仍手动保留副本。
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说明部分文件(如 DF1)包含重要参数与日志区,可能为本次要修改的目标区域且不同机型可能对应不同分区。
说明参考资料与社区讨论为本次方法提供依据与限制说明
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作者引用 Victor 网站与评论区讨论,说明如何进入 5151 引导模式以及关于日志区与锁标志的说明来自社区经验。
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提到专业工具(如 NLBS、PU2、UVRT)可直接进入引导模式,但这些方法并非公开,因此使用物理接法替代。
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表示部分参数如何解释存在不确定性,视频仅展示步骤与操作,不做额外原理推导与保证。
进入引导模式与硬件接线方法
识别并短接引导与复位引脚的物理位置与连接方式说明
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在 PCB 正面找到 TP1 作为引导(boot)引脚,以 1K 电阻或直接接地方式使芯片进入引导模式。
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在 PCB 背面找到 TP14 作为复位(reset)引脚,通过接地短接触发复位,可在 TP1 接地时保持引导模式。
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强调以物理接法实现进入 boot 模式,必要时使用示波器或万用表确认引脚位置以避免损伤板子。
提示硬件连接细节与安全注意事项,包含电阻值与接地说明
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作者使用 1K 电阻连接 TP1 到地线以稳定引导进入,复位脚直接短接到地以触发复位操作。
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提醒如果不熟悉锂电池相关操作,不要随意短接或短路电池,存在起火与危险风险,务必小心操作。
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说明实验中有外接 12V LED 用于验证电池是否恢复供电,电路中加入开关用于保护但并非复杂保护电路。
引导模式验证方法与 SDS 扫描变化说明
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在未进入引导模式时,SDS(或扫描报告)只能扫描到 0x62 区域,显示被日志或锁定区域限制。
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进入引导模式后,SDS 报告扩展至 0xFF 区域,表明芯片对所有命令均有响应并允许读取完整分区。
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作者以该扫描结果证明已成功进入 boot 模式,随后调用 flasher 工具进行读写操作。
读取与分析芯片数据(DF1、DF2、DF3 等)
使用 r2j240 flasher 在 Linux 下逐个读取不同分区并保存文件流程
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在终端调用 dump 命令并按顺序读取 DF1、DF2、DF3、Full1、Full2 与 FW 等分区,生成对应的 .bin 文件以备后续分析。
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读取过程中注意每个分区名称与预设(preset)对应关系,错误写入分区会导致芯片异常或数据丢失。
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作者示范读取完成后将部分文件拷贝到 Windows 平台,因习惯使用 hxb 十六进制编辑器进行更便捷的编辑。
观察 DF1 文件结构并识别重复的日志区与静态信息分布
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在 DF1 中可见序列号等静态信息保存区域,并发现多个重复块(从某偏移到另一偏移呈重复),被识别为日志(log)区。
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作者指出重复日志块数量因设备而异,本案例存在多达八个重复日志区,需要将这些区域清除为 0xFF。
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确认哪些区域为静态不可更改部分,避免修改会影响识别信息,谨慎只修改可变参数与日志区。
定位关键参数偏移地址并记录当前值以便修改前比对
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全充容量(FCC)被定位在偏移 0x48 处,当前示例值为 0x5125(被作者解释为 mAh 单位或需与电压结合换算)。
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循环计数(cycle count)位于偏移 0x4C 处,本示例原值为 3,演示中会将其修改为 0。
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在偏移 0x6B 处发现锁标志(lock flag)原值为 0x17,需将其修改为 0x03 以恢复电池输出功能。
编辑与修改关键参数的具体操作
在十六进制编辑器中备份并修改指定偏移区域的步骤与常见问题
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在 hxb 等十六进制编辑器中打开 DF1 文件前先保留原始备份,确认文件大小与校验值以防操作后异常。
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编辑时尽量只修改已定位的偏移范围,避免复制粘贴导致文件大小变化或破坏结构,作者曾尝试复制报错因此手动修改。
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软件若提示文件大小改变或警告,说明可能误操作,应立即恢复备份并重新确认编辑范围与字节数一致。
将日志区填充为 0xFF、调整 FCC、循环计数和锁标志的具体字节修改说明
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对被识别的日志区从某偏移到结束(例如至 0x00C9)全部填充为 0xFF,以清除日志记录并恢复默认状态。
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将全充容量偏移 0x48 的值修改为目标数值(示例将 5200 十进制转换为十六进制写入对应字节位置)。
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将循环计数偏移 0x4C 的值写为 0x00,并将 0x6B 的锁标志由 0x17 改为 0x03,恢复电池输出与正常充电逻辑。
保存修改文件并确认文件完整性以准备写回芯片
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保存修改后的 DF1 文件后建议再次比对文件大小与必要校验以确保未破坏文件结构。
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作者强调分区与预设名称的对应关系(例如不要把 DF1 文件写到 DF2),错误写入会导致芯片不可用。
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若使用的工具提供自动备份,可依赖工具备份,但作者仍建议手动保留原始文件以便意外回滚。
写回、验证与安全注意事项
使用 flasher 写回修改后的分区并执行写入选项与执行命令说明
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在 r2j240 flasher 中使用写入命令(-W 写入选项)指定正确的分区文件名,例如写入 DF1 时确保目标为 DF1.bin 与对应 preset。
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写入时需添加指定参数以允许覆盖静态区或执行引导区写入,否则工具可能提示确认或不会执行,作者提示使用 LGC static 删除确认选项。
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执行写入命令后工具会进行验证(verifying),完整写入且验证通过后可继续下一步操作。
写回后通过 SDS 报告与 LED 实测验证电池功能是否恢复
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写回成功后再次运行 SDS 扫描报告,可看到充电相关参数回归并确认全充容量与循环计数已被修改为期望值。
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作者通过连接一个 12V LED 到电池输出并使用开关验证电池是否恢复供电,写回后 LED 熄灭或点亮表明输出状态变化。
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验证过程中注意不要仅依赖单一指示灯,应结合软件读取的数据(如 FCC、cycle count)进行综合判断。
风险提示、不可更改区域说明与其他芯片型号拓展
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作者指出某些制造信息和静态区域不能简单修改,改动可能导致不可识别或设备异常,因此未尝试修改厂家日期等静态内容。
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强烈提醒对锂电池操作需非常小心,不熟悉相关知识不要轻易短接或改动,短路可能引起火灾危险。
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最后提及其它芯片型号(如 BQ9000、BQ8050、BQ8030)也可采用类似思路进入引导与读写,但具体引脚与步骤因型号而异应参考对应资料与社区讨论。